New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories.

Emmanuel Nowak
  • Fonction : Auteur
Marc Bocquet
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
G. Molas
  • Fonction : Auteur
C. Jahan
  • Fonction : Auteur
R. Kies
  • Fonction : Auteur
G. Reimbold
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
F. Boulanger
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392162 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392162 , version 1

Citer

Emmanuel Nowak, Marc Bocquet, L. Perniola, G. Ghibaudo, G. Molas, et al.. New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories.. IEEE International Electron Devices Meeting 2008, San Francisco, USA, Dec 2008, San Francisco, United States. ⟨hal-00392162⟩
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