New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories. - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories.

Emmanuel Nowak
  • Fonction : Auteur
Marc Bocquet
CV
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
G. Molas
  • Fonction : Auteur
C. Jahan
  • Fonction : Auteur
R. Kies
  • Fonction : Auteur
G. Reimbold
  • Fonction : Auteur
B. de Salvo
  • Fonction : Auteur
F. Boulanger
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00392162

Soumis le : vendredi 5 juin 2009-16:08:24

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:53:24

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00392162 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392162 , version 1

Citer

Emmanuel Nowak, Marc Bocquet, L. Perniola, G. Ghibaudo, G. Molas, et al.. New Physical Model for ultra-scaled 3D Nitride-Trapping Non-Volatile Memories.. IEEE International Electron Devices Meeting 2008, San Francisco, USA, Dec 2008, San Francisco, United States. ⟨hal-00392162⟩

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