Ouvrages
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00391851
Soumis le : vendredi 5 juin 2009-09:46:35
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:05:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391851 , version 1
Citer
D. Bauza. A rigorous analysis of the parameters which govern the SILC in n-channel MOSFET's with oxide thickness in the 1-2 nm range. in 'MOSFETs: Properties, Preparations and Performance', Novapublishers, New York-USA (ISBN 978-1-60456-762-5). in 'MOSFETs: Properties, Preparations and Performance', Novapublishers, New York-USA (ISBN 978-1-60456-762-5), 2008. ⟨hal-00391851⟩
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