Structural and electrical properties of the interfacial layer in sputter deposited LaAlO3/Si thin films - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2007

Structural and electrical properties of the interfacial layer in sputter deposited LaAlO3/Si thin films

V. Edon
  • Fonction : Auteur
M.C. Hugon
  • Fonction : Auteur
B. Agius
  • Fonction : Auteur
C. Cohen
  • Fonction : Auteur
Christophe Cardinaud
Institut des Matériaux Jean Rouxel
C. Eypert
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Richard BASCHERA  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00391760

Soumis le : jeudi 4 juin 2009-16:15:06

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-00391760 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

Citer

V. Edon, M.C. Hugon, B. Agius, C. Cohen, Christophe Cardinaud, et al.. Structural and electrical properties of the interfacial layer in sputter deposited LaAlO3/Si thin films. Thin Solid Films, 2007, 515 (20-21), pp.7782. ⟨10.1016/j.tsf.2007.03.179⟩. ⟨hal-00391760⟩

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