Monte Carlo study of apparent magnetoresistance mobility in nanometer scale metal oxyde semiconductor field effect transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2008

Monte Carlo study of apparent magnetoresistance mobility in nanometer scale metal oxyde semiconductor field effect transistors

K. Huet
  • Fonction : Auteur
D. Querlioz
W. Chaisantikulwat
  • Fonction : Auteur
J. Saint-Martin
A. Bournel
P. Dollfus
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391733 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391733 , version 1

Citer

K. Huet, D. Querlioz, W. Chaisantikulwat, J. Saint-Martin, A. Bournel, et al.. Monte Carlo study of apparent magnetoresistance mobility in nanometer scale metal oxyde semiconductor field effect transistors. Journal of Applied Physics, 2008, 104 (4), pp.044504-1-7. ⟨hal-00391733⟩
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