Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2008

On the Physical Origins of Mismatch in Si/SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors for BiCMOS Technologies.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391686 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391686 , version 1

Citer

S. Danaie, M. Marin, G. Ghibaudo. On the Physical Origins of Mismatch in Si/SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors for BiCMOS Technologies.. Solid-State Electronics, 2008, 52, 323. ⟨hal-00391686⟩
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