Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00391604
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-11:37:43
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-18:52:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391604 , version 1
Citer
A. Tsormpatzoglou, C.A. Dimitriadis, R. Clerc, G. Pananakakis, G. Ghibaudo. Threshold Voltage Model for Short-Channel Undoped symmetrical Double-Gate MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, 2512. ⟨hal-00391604⟩
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