Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2008
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Dates et versions

hal-00391582 , version 1 (04-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391582 , version 1

Citer

Q. Rafhay, R. Clerc, G. Ghibaudo, G. Pananakakis. Impact of source-to-drain tunnelling on the scalability of arbitrary oriented alternative channel material nMOSFETs. Solid-State Electronics, 2008, 52 (Issue 10), pp.1474-1481. ⟨hal-00391582⟩
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