Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00391582
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-11:17:56
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:53:38
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391582 , version 1
Citer
Q. Rafhay, R. Clerc, G. Ghibaudo, G. Pananakakis. Impact of source-to-drain tunnelling on the scalability of arbitrary oriented alternative channel material nMOSFETs. Solid-State Electronics, 2008, 52 (Issue 10), pp.1474-1481. ⟨hal-00391582⟩
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