Pulsed Plasma Enhanced MOCVD of high k Y2O3 layers for gate dielectric applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00390544 , version 1 (02-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00390544 , version 1

Citer

B. Pelissier, C. Durand, Corentin Vallée, M. Bonvalot, L. Vallier, et al.. Pulsed Plasma Enhanced MOCVD of high k Y2O3 layers for gate dielectric applications. Présentation MRS 2002 (fall meeting), 2002, boston, United States. ⟨hal-00390544⟩
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