Article Dans Une Revue
Materials Science Forum
Année : 2009
Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00389369
Soumis le : jeudi 28 mai 2009-16:06:51
Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:34:01
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00389369 , version 1
Citer
M. Pons, S.I. Nishizawa, P. Wellmann, E. Blanquet, D. Chaussende, et al.. Silicon Carbide growth : C/Si ratio Evaluation and Modeling. Materials Science Forum, 2009, 600-603, pp.83-88. ⟨hal-00389369⟩
113
Consultations
0
Téléchargements