FORMATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE - Archive ouverte HAL
Brevet Année : 2005

FORMATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE

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Matériaux

Yannick Champion  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00386315

Soumis le : mercredi 20 mai 2009-19:32:49

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00386315 , version 1 (20-05-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00386315 , version 1

Citer

R. Madar, M. Pons, Francis Baillet, L. Charpentier, Etienne Pernot, et al.. FORMATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE. Patent n° : EP1511884. TOP. 2005. ⟨hal-00386315⟩

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