Growth and characterization of AlInN/GaN field effect transistors - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Growth and characterization of AlInN/GaN field effect transistors

J.F. Carlin
  • Fonction : Auteur
F Medjdoub
M. Gonschorek
  • Fonction : Auteur
E. Feltin
  • Fonction : Auteur
M.A. Py
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
N. Grandjean
E. Kohn
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00367697

Soumis le : jeudi 12 mars 2009-10:39:37

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00367697 , version 1 (12-03-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00367697 , version 1

Citer

J.F. Carlin, F Medjdoub, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, et al.. Growth and characterization of AlInN/GaN field effect transistors. Proceedings of the 7th International Conference of Nitride Semiconductors, ICNS-7, 2007, Las Vegas, NV, United States. ⟨hal-00367697⟩

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