PZT films etched by focused Ga+ ion beam : study of ion damage and post annealing treatment effects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

PZT films etched by focused Ga+ ion beam : study of ion damage and post annealing treatment effects

S. Wang
  • Fonction : Auteur
David Troadec
D. Deresmes
R. Liang
  • Fonction : Auteur
Caroline Soyer
S. Quignon
  • Fonction : Auteur
A. da Costa
  • Fonction : Auteur
R. Desfeux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00367386 , version 1 (11-03-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00367386 , version 1

Citer

S. Wang, David Troadec, D. Deresmes, R. Liang, Caroline Soyer, et al.. PZT films etched by focused Ga+ ion beam : study of ion damage and post annealing treatment effects. Proceedings of the 19th International Symposium on Integrated Ferroelectrics, ISIF-19, 2007, Bordeaux, France. ⟨hal-00367386⟩
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