Dual silicide integration of low Schottky-barrier source-drain in a spacer-first damascene-metal-gate FinFET architecture - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Dual silicide integration of low Schottky-barrier source-drain in a spacer-first damascene-metal-gate FinFET architecture

F. Cornu-Fruleux
  • Fonction : Auteur
J. Penaud
  • Fonction : Auteur
P. Coronel
  • Fonction : Auteur
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
N. Breil
  • Fonction : Auteur
D. Delille
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00367364 , version 1 (11-03-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00367364 , version 1

Citer

F. Cornu-Fruleux, J. Penaud, Emmanuel Dubois, P. Coronel, G. Larrieu, et al.. Dual silicide integration of low Schottky-barrier source-drain in a spacer-first damascene-metal-gate FinFET architecture. Proceedings of the 12th Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2007, 2007, Kyoto, Japan. ⟨hal-00367364⟩
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