Development of InAs/AlSb HEMT technology for high-frequency operation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Development of InAs/AlSb HEMT technology for high-frequency operation

J. Grahn
  • Fonction : Auteur
E. Lefebvre
  • Fonction : Auteur
M. Borg
  • Fonction : Auteur
M. Malmkvist
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Yannick Roelens
Gilles Dambrine
A. Cappy
S. Bollaert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00366992

Soumis le : mardi 10 mars 2009-11:09:30

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00366992 , version 1 (10-03-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00366992 , version 1

Citer

J. Grahn, E. Lefebvre, M. Borg, M. Malmkvist, L. Desplanque, et al.. Development of InAs/AlSb HEMT technology for high-frequency operation. Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy. ⟨hal-00366992⟩

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