MOVPE growth of BGaN as barrier layer for threading dislocations - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00362816 , version 1 (19-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00362816 , version 1

Citer

N. Maloufi, G. Orsal, S. Gautier, M. Alnot, M. Bouchaour, et al.. MOVPE growth of BGaN as barrier layer for threading dislocations. International Workshop on Nitride semiconductors, Oct 2008, Montreux, Switzerland. ⟨hal-00362816⟩
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