Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Cécile Schreiber : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00362816
Soumis le : jeudi 19 février 2009-14:09:03
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00362816 , version 1
Citer
N. Maloufi, G. Orsal, S. Gautier, M. Alnot, M. Bouchaour, et al.. MOVPE growth of BGaN as barrier layer for threading dislocations. International Workshop on Nitride semiconductors, Oct 2008, Montreux, Switzerland. ⟨hal-00362816⟩
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