Characterization of insulated gate-gate versus Schottky-gate InAs/AlSb HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Characterization of insulated gate-gate versus Schottky-gate InAs/AlSb HEMTs

M. Malmkvist
  • Fonction : Auteur
E. Lefebvre
  • Fonction : Auteur
M. Borg
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Gilles Dambrine
J. Grahn
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00362728 , version 1 (19-02-2009)

Identifiants

Citer

M. Malmkvist, E. Lefebvre, M. Borg, L. Desplanque, X. Wallart, et al.. Characterization of insulated gate-gate versus Schottky-gate InAs/AlSb HEMTs. 2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.24-27, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412638⟩. ⟨hal-00362728⟩
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