InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide

M. Alomari
  • Fonction : Auteur
F Medjdoub
J.F. Carlin
  • Fonction : Auteur
N. Grandjean
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
S. Delage
  • Fonction : Auteur
E. Kohn
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00362034

Soumis le : mardi 17 février 2009-10:26:03

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00362034 , version 1 (17-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00362034 , version 1

Citer

M. Alomari, F Medjdoub, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, et al.. InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide. Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2008, Newark, DE, United States. ⟨hal-00362034⟩

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