GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown on ‘SiCopSiC' composite substrates for HEMT application - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown on ‘SiCopSiC' composite substrates for HEMT application

M.A. Di Forte-Poisson
  • Fonction : Auteur
N. Sarazin
  • Fonction : Auteur
M. Magis
  • Fonction : Auteur
M. Tordjman
  • Fonction : Auteur
J. Di Persio
  • Fonction : Auteur
R. Langer
  • Fonction : Auteur
M. Guziewicz
  • Fonction : Auteur
L. Thoth
  • Fonction : Auteur
B. Pecz
  • Fonction : Auteur
J. Thorpe
  • Fonction : Auteur
E. Morvan
  • Fonction : Auteur
G. Meneghesso
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00362031 , version 1 (17-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00362031 , version 1

Citer

M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, et al.. GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown on ‘SiCopSiC' composite substrates for HEMT application. 14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, ICMOVPE-XIV, 2008, Metz, France. ⟨hal-00362031⟩
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