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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Selective etching of implanted silicon dioxide in hydrofluoric acid

V. Passi
  • Fonction : Auteur
Aurélie Lecestre
J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00361548 , version 1 (16-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00361548 , version 1

Citer

V. Passi, Aurélie Lecestre, Emmanuel Dubois, J.P. Raskin. Selective etching of implanted silicon dioxide in hydrofluoric acid. 34th International Conference on Micro and Nano Engineering, MNE 2008, 2008, Athens, Greece. ⟨hal-00361548⟩
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