Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00361535
Soumis le : lundi 16 février 2009-10:24:29
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00361535 , version 1
Citer
L. Desplanque, G. Delhaye, X. Wallart. High electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures. 17th European Heterostructure Technology Workshop, HeTech'08, 2008, Venice, Italy. ⟨hal-00361535⟩
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