High electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

High electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures

G. Delhaye
X. Wallart
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00361535 , version 1 (16-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00361535 , version 1

Citer

L. Desplanque, G. Delhaye, X. Wallart. High electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures. 17th European Heterostructure Technology Workshop, HeTech'08, 2008, Venice, Italy. ⟨hal-00361535⟩
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