Gravure sélective par voie humide de Ga0.5In0.5Sb et d'Al0.55In0.45Sb en vue de la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Gravure sélective par voie humide de Ga0.5In0.5Sb et d'Al0.55In0.45Sb en vue de la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction

E. Mairiaux
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00361524 , version 1 (16-02-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00361524 , version 1

Citer

E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, Gilles Dambrine, M. Zaknoune. Gravure sélective par voie humide de Ga0.5In0.5Sb et d'Al0.55In0.45Sb en vue de la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction. 12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France. ⟨hal-00361524⟩
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