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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Preliminary investigations on the Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures for High Electron Mobility Transistor (HEMT) applications

L. Delhaye
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00360480 , version 1 (11-02-2009)

Identifiants

Citer

L. Delhaye, L. Desplanque, X. Wallart. Preliminary investigations on the Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures for High Electron Mobility Transistor (HEMT) applications. IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-3, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702932⟩. ⟨hal-00360480⟩
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