Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00360480
Soumis le : mercredi 11 février 2009-11:37:28
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
L. Delhaye, L. Desplanque, X. Wallart. Preliminary investigations on the Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures for High Electron Mobility Transistor (HEMT) applications. IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-3, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702932⟩. ⟨hal-00360480⟩
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