HF characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO2 gate stack - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

HF characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO2 gate stack

T.C. Lim
  • Fonction : Auteur
O. Rozeau
  • Fonction : Auteur
C. Buj
  • Fonction : Auteur
M. Paccaud
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00360408 , version 1 (11-02-2009)

Identifiants

Citer

T.C. Lim, O. Rozeau, C. Buj, M. Paccaud, Gilles Dambrine, et al.. HF characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO2 gate stack. 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, ULIS 2008, 2008, Italy. pp.145-148, ⟨10.1109/ULIS.2008.4527160⟩. ⟨hal-00360408⟩
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