High-voltage HBTs compatible with high-speed SiGe BiCMOS technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

High-voltage HBTs compatible with high-speed SiGe BiCMOS technology

B. Geynet
  • Fonction : Auteur
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
S. Chouteau
  • Fonction : Auteur
G. Avenier
  • Fonction : Auteur
T. Schwartzmann
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
A. Chantre
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00360406 , version 1 (11-02-2009)

Identifiants

Citer

B. Geynet, P. Chevalier, S. Chouteau, G. Avenier, T. Schwartzmann, et al.. High-voltage HBTs compatible with high-speed SiGe BiCMOS technology. 8th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2008, 2008, United States. pp.210-213, ⟨10.1109/SMIC.2008.59⟩. ⟨hal-00360406⟩
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