Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00360406
Soumis le : mercredi 11 février 2009-10:37:54
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
B. Geynet, P. Chevalier, S. Chouteau, G. Avenier, T. Schwartzmann, et al.. High-voltage HBTs compatible with high-speed SiGe BiCMOS technology. 8th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2008, 2008, United States. pp.210-213, ⟨10.1109/SMIC.2008.59⟩. ⟨hal-00360406⟩
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