PMN-PT thin films grown by sputtering on silicon substrate : influence of the annealing temperature on the physico-chemical and electrical properties of the films - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Research on Chemical Intermediates Année : 2008

PMN-PT thin films grown by sputtering on silicon substrate : influence of the annealing temperature on the physico-chemical and electrical properties of the films

Denis Remiens
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M. Detalle
  • Fonction : Auteur
R. Herdier
  • Fonction : Auteur
Caroline Soyer
G.S. Wang
  • Fonction : Auteur
D. Jenkins
  • Fonction : Auteur
P. Roussel
CV

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https://hal.science/hal-00360335

Soumis le : mercredi 11 février 2009-08:31:49

Dernière modification le : vendredi 2 février 2024-09:35:47

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Dates et versions

hal-00360335 , version 1 (11-02-2009)

Identifiants

Citer

Denis Remiens, M. Detalle, R. Herdier, Caroline Soyer, G.S. Wang, et al.. PMN-PT thin films grown by sputtering on silicon substrate : influence of the annealing temperature on the physico-chemical and electrical properties of the films. Research on Chemical Intermediates, 2008, 34, pp.201-215. ⟨10.1163/156856708783623465⟩. ⟨hal-00360335⟩

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