Article Dans Une Revue
Materials Science and Engineering: C
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00357801
Soumis le : lundi 2 février 2009-09:03:35
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Gassoumi, J.M. Bluet, G. Guillot, Christophe Gaquière, H. Maaref. Characterization of deep levels in high electron mobility transistor by conductance deep level transient spectroscopy. Materials Science and Engineering: C, 2008, 28, pp.787-790. ⟨10.1016/j.msec.2007.10.068⟩. ⟨hal-00357801⟩
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