Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Open Electrical and Electronic Engineering Journal Année : 2008

Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology

F Medjdoub
J.F. Carlin
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
N. Grandjean
E. Kohn
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00357799

Soumis le : lundi 2 février 2009-09:03:32

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00357799 , version 1 (02-02-2009)

Identifiants

Citer

F Medjdoub, J.F. Carlin, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn. Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology. Open Electrical and Electronic Engineering Journal, 2008, 2, pp.1-7. ⟨10.2174/1874129000802010001⟩. ⟨hal-00357799⟩

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