Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00357798
Soumis le : lundi 2 février 2009-09:03:28
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F Medjdoub, M. Alomari, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, et al.. Effect of fluoride plasma treatment on InAlN/GaN HEMTs. Electronics Letters, 2008, 44, pp.696-698. ⟨10.1049/el:20080864⟩. ⟨hal-00357798⟩
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