Growth of Si nanowires on micropillars for the study of their dopant distribution by atom probe tomography - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2008

Growth of Si nanowires on micropillars for the study of their dopant distribution by atom probe tomography

T. Xu
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
B. Grandidier
Yannick Coffinier
Rabah Boukherroub
R. Larde
E. Cadel
P. Pareige
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00357357 , version 1 (30-01-2009)

Identifiants

Citer

T. Xu, J.P. Nys, B. Grandidier, D. Stievenard, Yannick Coffinier, et al.. Growth of Si nanowires on micropillars for the study of their dopant distribution by atom probe tomography. Journal of Vacuum Science and Technology, 2008, 26, pp.1960-1963. ⟨10.1116/1.3021371⟩. ⟨hal-00357357⟩
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