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Article Dans Une Revue Optics Express Année : 2008

High responsivity GaNAsSb p-i-n photodetectors at 1.3 µm grown by radio-frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy

K.H. Tan
  • Fonction : Auteur
S.F. Yoon
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W.K. Loke
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S. Wicaksono
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T.K. Ng
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K.L. Lew
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A. Stoehr
  • Fonction : Auteur
S. Fedderwitz
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M. Weiss
  • Fonction : Auteur
D. Jaeger
  • Fonction : Auteur
N. Saadsaoud
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El Hadj Dogheche
J. Chazelas
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Dates et versions

hal-00357301 , version 1 (30-01-2009)

Identifiants

Citer

K.H. Tan, S.F. Yoon, W.K. Loke, S. Wicaksono, T.K. Ng, et al.. High responsivity GaNAsSb p-i-n photodetectors at 1.3 µm grown by radio-frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy. Optics Express, 2008, 16, pp.7720-7725. ⟨10.1364/OE.16.007720⟩. ⟨hal-00357301⟩
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