Gate pulse electrical method to characterize hysteresis phenomena in organic field effect transistor

C. Petit; D. Zander; K. Lmimouni; M. Ternisien; D. Tondelier; S. Lenfant; D. Vuillaume

doi:10.1016/j.orgel.2008.07.013

Article Dans Une Revue Organic Electronics Année : 2008

Gate pulse electrical method to characterize hysteresis phenomena in organic field effect transistor

, , , , , , (1)

1

C. Petit

Fonction : Auteur

D. Zander

Fonction : Auteur

K. Lmimouni

Fonction : Auteur
PersonId : 747969
IdHAL : kamal-lmimouni

M. Ternisien

Fonction : Auteur
PersonId : 1191639
IdHAL : marc-ternisien

CV

D. Tondelier

Fonction : Auteur

S. Lenfant

Fonction : Auteur
PersonId : 738520
IdHAL : stephane-lenfant
ORCID : 0000-0002-6857-8752
IdRef : 059841265

CV

D. Vuillaume

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00357293

Soumis le : vendredi 30 janvier 2009-08:43:34

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00357293 , version 1 (30-01-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00357293 , version 1
DOI : 10.1016/j.orgel.2008.07.013

Citer

C. Petit, D. Zander, K. Lmimouni, M. Ternisien, D. Tondelier, et al.. Gate pulse electrical method to characterize hysteresis phenomena in organic field effect transistor. Organic Electronics, 2008, 9, pp.979-984. ⟨10.1016/j.orgel.2008.07.013⟩. ⟨hal-00357293⟩

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