Electronic structure of highly crystalline polyaniline by study of tunnelling conduction in n+-Si/self-assembled monolayer/polyaniline heterostructures - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Organic Electronics Année : 2008

Electronic structure of highly crystalline polyaniline by study of tunnelling conduction in n+-Si/self-assembled monolayer/polyaniline heterostructures

D.S. Sutar
  • Fonction : Auteur
S. Lenfant
CV
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
J.V. Yakhmi
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00357289

Soumis le : vendredi 30 janvier 2009-08:43:30

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00357289 , version 1 (30-01-2009)

Identifiants

Citer

D.S. Sutar, S. Lenfant, D. Vuillaume, J.V. Yakhmi. Electronic structure of highly crystalline polyaniline by study of tunnelling conduction in n+-Si/self-assembled monolayer/polyaniline heterostructures. Organic Electronics, 2008, 9, pp.602-608. ⟨10.1016/j.orgel.2008.04.007⟩. ⟨hal-00357289⟩

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