Article Dans Une Revue
Materials Science and Engineering: B
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00356976
Soumis le : jeudi 29 janvier 2009-10:28:11
Dernière modification le : jeudi 19 septembre 2024-03:20:58
Citer
G. Larrieu, Emmanuel Dubois, Dmitri Yarekha, N. Breil, N. Reckinger, et al.. Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance. Materials Science and Engineering: B, 2008, 154-155, pp.159-162. ⟨10.1016/j.mseb.2008.10.014⟩. ⟨hal-00356976⟩
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