Low Schottky barrier height for ErSi2−x/n-Si contacts formed with a Ti cap
Origine | Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte |
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https://hal.science/hal-00356975
Soumis le : mercredi 25 mai 2022-14:22:51
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18