Low Schottky barrier height for ErSi2−x/n-Si contacts formed with a Ti cap - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2008

Low Schottky barrier height for ErSi2−x/n-Si contacts formed with a Ti cap

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hal-00356975 , version 1 (25-05-2022)

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Citer

N. Reckinger, Xing Tang, V. Bayot, Dmitri Yarekha, Emmanuel Dubois, et al.. Low Schottky barrier height for ErSi2−x/n-Si contacts formed with a Ti cap. Journal of Applied Physics, 2008, 104 (10), pp.103523. ⟨10.1063/1.3010305⟩. ⟨hal-00356975⟩
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