Metamorphic high electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures on InP (001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2008

Metamorphic high electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures on InP (001)

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Electronique
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hal-00356944 , version 1 (25-05-2022)

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Citer

G. Delhaye, L. Desplanque, X. Wallart. Metamorphic high electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures on InP (001). Journal of Applied Physics, 2008, 104 (6), pp.066105. ⟨10.1063/1.2978365⟩. ⟨hal-00356944⟩
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