Structures robustes pour circuits logiques à base de CNTFET
Résumé
Cet article traite de l'évaluation de la robustesse de structures basées sur des CNTFET, redondantes aux niveaux transistor et logique (Inverseur). Des simulations utilisant des modèles compacts de CNTFET nous permettent de conclure que les structures redondantes peuvent bien tolérer les dispersions paramétriques et les défauts de fabrication (collage_à_0/1).