COMPACT MODELING OF THE SCHOTTKY BARRIER JUNCTION IN THE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

COMPACT MODELING OF THE SCHOTTKY BARRIER JUNCTION IN THE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00337489

Soumis le : vendredi 7 novembre 2008-11:00:05

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00337489 , version 1 (07-11-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00337489 , version 1

Citer

Montassar Najari, Sébastien Frégonèse, Cristell Maneux, Thomas Zimmer, Hasséne Mnif, et al.. COMPACT MODELING OF THE SCHOTTKY BARRIER JUNCTION IN THE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR. JNTE 08, French Symposium on Emerging Technologies for micro-nanofabrication, Nov 2008, Toulouse, France. ⟨hal-00337489⟩

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