Growth of thick AlN layers by High Temperature CVD - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Growth of thick AlN layers by High Temperature CVD

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Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00337372 , version 1 (06-11-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00337372 , version 1

Citer

A. Claudel, E. Blanquet, D. Chaussende, M. Audier, D. Pique, et al.. Growth of thick AlN layers by High Temperature CVD. Internatinal Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM2007, 2007, Otsu, Japan. pp.1269-1272. ⟨hal-00337372⟩
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