Reliability investigations of 850 nm silicon photodiodes under proton irradiation for space applications - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2008

Reliability investigations of 850 nm silicon photodiodes under proton irradiation for space applications

Domaines

Electronique

Isabelle Bord  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00334728

Soumis le : lundi 27 octobre 2008-16:26:09

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00334728 , version 1 (27-10-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00334728 , version 1

Citer

M.L. Bourqui, L. Bechou, O. Gilard, Y. Deshayes, P. del Vecchio, et al.. Reliability investigations of 850 nm silicon photodiodes under proton irradiation for space applications. Microelectronics Reliability, 2008, 48, pp.1202-1207. ⟨hal-00334728⟩

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