HeteroEpitaxial growth of crystalline GaN epilayers on LiNbO3 substrate by MOVPE - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00334605 , version 1 (27-10-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00334605 , version 1

Citer

S. Gautier, T. Aggerstam, T. Moudakir, S. Ould Saad, G. Orsal, et al.. HeteroEpitaxial growth of crystalline GaN epilayers on LiNbO3 substrate by MOVPE. EW-MOVPE XII, Jun 2007, Bratislava, Czech Republic. ⟨hal-00334605⟩
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