Voltage tuneable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2005
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hal-00330467 , version 1 (14-10-2008)

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Citer

J. Lusakowski, N. Dyakonova, L. Varani, J. Mateos, T. Parenty, et al.. Voltage tuneable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor. Journal of Applied Physics, 2005, 97 (6), pp.064307. ⟨10.1063/1.1861140⟩. ⟨hal-00330467⟩
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