Optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C pour les applications d'amplification de puissance - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C pour les applications d'amplification de puissance

P.M. Mans
  • Fonction : Auteur
C. Maneux
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
T. Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
S. Jouan
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00327470

Soumis le : mercredi 8 octobre 2008-15:08:24

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00327470 , version 1 (08-10-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00327470 , version 1

Citer

P.M. Mans, C. Maneux, T. Zimmer, S. Jouan. Optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C pour les applications d'amplification de puissance. Journées Nationales du Réseau Doctorant en Microélectronique, May 2007, Lille, France. ⟨hal-00327470⟩

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