Ge Base Profile Engineering in SiGe:C HBTs for Power Amplifier Applications : Influence on Current Gain and Input Impedance over a Wide Range of Temperature - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Ge Base Profile Engineering in SiGe:C HBTs for Power Amplifier Applications : Influence on Current Gain and Input Impedance over a Wide Range of Temperature

P.M. Mans
  • Fonction : Auteur
S. Jouan
  • Fonction : Auteur
F. Brossard
  • Fonction : Auteur
Myriam Comte
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 836881
D. Pache
  • Fonction : Auteur
C. Maneux
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
T. Zimmer
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00327467

Soumis le : mercredi 8 octobre 2008-15:03:53

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00327467 , version 1 (08-10-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00327467 , version 1

Citer

P.M. Mans, S. Jouan, F. Brossard, Myriam Comte, D. Pache, et al.. Ge Base Profile Engineering in SiGe:C HBTs for Power Amplifier Applications : Influence on Current Gain and Input Impedance over a Wide Range of Temperature. 4th International SiGe Technology and Device Meeting, May 2008, Taiwan. pp.__. ⟨hal-00327467⟩

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