Selective activation of failure mechanisms in packaged double-heterostructure light emitting diodes using controlled neutron energy irradiation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2008

Selective activation of failure mechanisms in packaged double-heterostructure light emitting diodes using controlled neutron energy irradiation

Domaines

Electronique

Isabelle Bord  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00326851

Soumis le : lundi 6 octobre 2008-11:10:41

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00326851 , version 1 (06-10-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00326851 , version 1

Citer

Yannick Deshayes, Isabelle Bord, Gérard Barreau, Mourad Aiche, Philippe Moretto, et al.. Selective activation of failure mechanisms in packaged double-heterostructure light emitting diodes using controlled neutron energy irradiation. Microelectronics Reliability, 2008, 48, pp.1354-1360. ⟨hal-00326851⟩

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