Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2008
Jean Paul Salvestrini : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00319149
Soumis le : vendredi 5 septembre 2008-17:38:58
Dernière modification le : mardi 12 septembre 2023-14:06:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00319149 , version 1
Citer
S. Gautier, T. Aggerstam, A. Pinos, S. Marcinkevičius, K. Liu, et al.. AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE on AlN templates using nitrogen as a carrier gas. Journal of Crystal Growth, 2008, 310 (23), pp.4927-4931. ⟨hal-00319149⟩
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