A new method for growing crystals of SiB2.8-4 type silicon boride from a metallic melt. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Research Bulletin Année : 1982
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Dates et versions

hal-00305241 , version 1 (23-07-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00305241 , version 1

Citer

M. Bouchacourt, F. Thevenot. A new method for growing crystals of SiB2.8-4 type silicon boride from a metallic melt.. Materials Research Bulletin, 1982, 17, pp.1353-1358. ⟨hal-00305241⟩
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