Measurement methods for the d(33) coefficient of PZT thin films on silicon substrates : a comparison of double-beam laser interferometer (DBI) and single-beam laser vibrometer (LDV) techniques - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Ferroelectrics Année : 2007

Measurement methods for the d(33) coefficient of PZT thin films on silicon substrates : a comparison of double-beam laser interferometer (DBI) and single-beam laser vibrometer (LDV) techniques

M. Pokorny
  • Fonction : Auteur
M. Sulc
  • Fonction : Auteur
R. Herdier
  • Fonction : Auteur
Denis Remiens
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
El Hadj Dogheche
D. Jenkins
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00285656

Soumis le : vendredi 6 juin 2008-09:17:13

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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hal-00285656 , version 1 (06-06-2008)

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Citer

M. Pokorny, M. Sulc, R. Herdier, Denis Remiens, El Hadj Dogheche, et al.. Measurement methods for the d(33) coefficient of PZT thin films on silicon substrates : a comparison of double-beam laser interferometer (DBI) and single-beam laser vibrometer (LDV) techniques. Ferroelectrics, 2007, 351, pp.122-130. ⟨10.1080/00150190701354109⟩. ⟨hal-00285656⟩

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