Characterisation of AlGaN/GaN HEMT epitaxy and devices on composite substrates - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Characterisation of AlGaN/GaN HEMT epitaxy and devices on composite substrates

G. Meneghesso
  • Fonction : Auteur
C. Ongaro
  • Fonction : Auteur
E. Zanoni
  • Fonction : Auteur
C. Brylinski
M.A. Di Forte-Poisson
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
R. Langer
  • Fonction : Auteur
H. Lahreche
  • Fonction : Auteur
P. Bove
  • Fonction : Auteur
J. Thorpe
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00284405

Soumis le : mardi 3 juin 2008-08:54:15

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00284405 , version 1 (03-06-2008)

Identifiants

Citer

G. Meneghesso, C. Ongaro, E. Zanoni, C. Brylinski, M.A. Di Forte-Poisson, et al.. Characterisation of AlGaN/GaN HEMT epitaxy and devices on composite substrates. IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007, 2007, United States. pp.401-404, ⟨10.1109/IEDM.2007.4418957⟩. ⟨hal-00284405⟩

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