Communication Dans Un Congrès
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00284403
Soumis le : mardi 3 juin 2008-08:54:13
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Boulay, S. Touati, A. Sar, Virginie Hoel, Christophe Gaquière, et al.. AlGaN/GaN HEMTs on (001) oriented silicon substrate based on 100nm SiN recessed gate technology for low cost device fabrication. 2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.96-99, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412656⟩. ⟨hal-00284403⟩
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